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此工艺最小的加工线宽和间距为3µm，光专国电为目前文献报道的AgNW薄膜电极的最高工艺精度。(g)有限差分时域(FDTD)仿真的AgNW点接触与共型接触处的电场强度分布，访党右侧是共型接触的AgNWSEM图。
通常，网建人们需要采用多步、冗繁的工艺流程来分别实现AgNW接触电阻降低和AgNW网络的图案化。大时的代表【背景介绍】柔性透明电极（TE）的出现极大地推动了光电器件性能和形态的发展与创新。罗云瀚，光专国电博士，博士生导师，暨南大学教授。
访党主要致力于光电显示领域可产业化的应用型科技研发。网建(c)不同方块电阻的DH-AgNW薄膜在550nm处的雾度。
在新型显示、大时的代表驱动方法、器件结构、制程技术上有60多篇SCI/EI/会议的学术发表，70多项国内外专利申请，15项国内外专利已经获得授权。
因此，光专国电在DPIN和HPMC双重作用下，光专国电成功地实现低光功率AgNW的充分焊接（图3c，f），薄膜方块电阻降低1-4个数量级，而且焊接结构还减少了光的散射，提高了薄膜的specular穿透率3.BioactiveMaterials：访党具有重塑肿瘤微环境的工程金/黑磷纳米平台用于声活化催化肿瘤治疗癌细胞中氧化剂和抗氧化剂之间的不平衡会引起氧化应激诱导的细胞死亡，访党这已被证明在治疗恶性肿瘤方面非常有效。
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